Beyond Imaging
晶圆厚度测量系统
TMS-2000
TMS-2000以非接触方式测量晶圆的的厚度分布，可以测量精度为1nm的平整度。 当在涉及极端温度变化和振动的不稳定环境中使用时，传统的晶圆厚度映射技术难以解决精度问题，而TMS-2000具有高的环境稳定性。由于其高速测量能力和紧凑的尺寸，TMS-2000可用于涉及在线检测的各种工业领域。
【特点】
· 可应对温度变化和机械震动等环境干扰的高精度测量
· 全晶圆范围的厚度测量，支持客制化扫描模式
· 照明 - 探测一体式光路
· 支持跨样本定量分析和对比
· 可适用于重掺硅、功率半导体、多层结构晶圆等
· 测量结果符合 SEMI 国际标准
· 更高的性价比
应用案例
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重掺型
相较于其他非接触式晶圆测厚方法，TMS-2000的高灵敏度使其能同时测量某些强吸收晶圆的前后表面，例如重掺型硅。
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粗糙表面型
TMS-2000用于研磨等工艺中测量晶圆厚度的一致性。
TMS-2000采用点扫描成像，对比基于相机成像的方式，不易受到串扰噪声影响，因而对测量粗糙表面晶圆(4到12英寸)有更高的灵敏度。 -
双折射/低反射材
TMS-2000通过对偏振效应的补偿，加强对低反射晶圆表面测量的信噪比。
常见的低反射晶圆有碳化硅(SiC)，用于功率半导体生产；铌酸锂(LiNbO3)，常用电子通讯设备。 -
多层结构
TMS-2000能同时测量多层结构，厚度可从μm级到数百μm级不等。
应用场景包括绝缘体上硅(SOI)和微机电系统(MEMS)的生产制造。 -
薄膜
TMS-2000可用于测量各类薄膜厚度，厚度最薄可低至4 μm ，精度可达1nm。
适用于晶圆背面研磨工艺和表面声波元件制造等。
